Mempelajari, mengetahui
konfigurasi dari voltage divider E-mosfet, dan dapat memahami cara
kerja, serta mensimulasikan rangkaian tersebut.
- Resistor
- Resistor merupakan salah satu komponen elektronika pasif yang berfungsi untuk membatasi arus yang mengalir pada suatu rangkaian dan berfungsi sebagai terminal antara dua komponen elektronika. Tegangan pada suatu resistor sebanding dengan arus yang melewatinya (V=I R).
- Kapasitor
- Kapasitor adalah suatu alat yang dapat menyimpan energi di dalam medan listrik, dengan cara mengumpulkan ketidakseimbangan internal dari muatan listrik. Kapasitor mempunyai satuan Farad dari nama Michael Faraday.
- MOSFET N-channel dan MOSFET P-channel
- Struktur N-Channel Mosfet atau disebut dengan NMOS terdiri dari subtract tipe P dengan daerah Source dan Drain deberi Difusi N+. Diantara daerah Source dan Drain terdapat sebuah celah sempit dari subtract P yang di sebut dengan channel yang di tutupi oleh isolator yang terbuat dari Si02.P-Channel MOSFET memiliki wilayah P-Channel diantara Source dan Drain. Dia memiliki empat terminal seperti Gate, Drain, Source dan Body. Struktur Transistor PMOS terdiri atas tipe-n dengan daerah Source dan Drain diberi difusi P+.
- Ground
- Ground adalah titik kembalinya arus searah atau titik kembalinya sinyal bolak balik atau titik patokan dari berbagai titik tegangan dan sinyal listrik dalam rangkaian elektronika.
- Baterai
- Baterai merupakan suatu komponen elektronika yang digunakan sebagai sumber tegangan pada rangkaian.
- Voltmeter
- Voltmeter merupkan komponen elektronika yang berfungsi untuk mengukur tegangan pada suatu rangkaian listrik.
Mengganti jaringan ekuivalen ac untuk E-MOSFET akan menghasilkan konfigurasi.
Dari gambar diatas akan diperoleh persamaan sebagai berikut:
zi; R1 dan R2 paralel dengan ekuivalen terbuka maka,
z0; atur Vi = 0 volt, maka Vgs dan gmVgs juga nol
Tujuan
dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus melalui antara Source
dan Drain. Komponen ini hampir seluruh nya sebagai switch. Kerja MOSFET
bergantung pada kapasitas MOS. Kapasitas MOS adalah bagian utama dari
MOSFET. Permukaan semikonduktor pada lapisan oksida di bawah yang
terletak di antara terminal sumber dan saluran pembuangan. Hal ini dapat
dibalik dari tipe-p ke n-type dengan menerapkan tegangan gerbang
positif atau negatif masing-masing. Ketika kita menerapkan tegangan
gerbang positif, lubang yang ada di bawah lapisan oksida dengan gaya dan
beban yang menjijikkan didorong ke bawah dengan substrat.












Tidak ada komentar:
Posting Komentar